基于快速碳化硅 MOSFET 的高压推挽开关用于布拉德伯里-尼尔森门的高电荷态离子电荷态分离
仪器与探测器
2023-11-15 v1 原子物理
摘要
本文报道了一种快速高压开关的研制，该开关基于推挽配置的两个增强型 N 沟道碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。该开关能够在容性负载上切换高达 600 V 的高压，上升和下降时间约为 10 ns，脉冲宽度 20 ns。利用该开关，我们演示了：对于从电子束离子阱中以特定动能射出的高电荷态离子束的电荷态分布，通过对施加于布拉德伯里-尼尔森门的高压进行快速切换，可以分离出单一电荷态，分辨能力约为 100。
引用
@article{arxiv.2311.08068,
title = {Fast Silicon Carbide MOSFET based high-voltage push-pull switch for charge state separation of highly charged ions with a Bradbury-Nielsen Gate},
author = {Christoph Schweiger and Menno Door and Pavel Filianin and Jost Herkenhoff and Kathrin Kromer and Daniel Lange and Domenik Marschall and Alexander Rischka and Thomas Wagner and Sergey Eliseev and Klaus Blaum},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.08068},
year = {2023}
}