基于本征冷接触效应的陡斜率 MoS2 纳米带 MOSFET
介观与纳米尺度物理
2020-02-19 v1
摘要
我们提出了一种陡斜率 MoS2 纳米带场效应晶体管，其利用窄能带导带从本征上滤除电子能量分布的热离子尾。我们通过原子级自洽量子模拟研究了器件工作原理及其性能对设计参数的依赖关系。我们的结果表明，该器件可提供与电子应用兼容的高 ION/IOFF 比，尽管其偏置电压低至约 0.1 V。
引用
@article{arxiv.2002.07300,
title = {A steep-slope MoS2-nanoribbon MOSFET based on an intrinsic cold-contact effect},
author = {D. Logoteta and M. G. Pala and J. Choukroun and P. Dollfus and G. Iannaccone},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.07300},
year = {2020}
}
备注
4 pages, 5 figures