电场对扶手椅型 MoS2 纳米带的影响
介观与纳米尺度物理
2013-08-29 v1
摘要
本文通过 {\it 从头算} 密度泛函理论计算，研究了存在外部静态电场时 MoS 扶手椅型纳米带的电子结构。此类纳米带呈非磁性与半导体性，展现出一组弱相互作用的边缘态，其能量位置决定了系统的带隙。我们表明，通过施加外部横向电场 ，纳米带的带隙可被显著减小，并在超过某临界值时导致金属-绝缘体相变。此外，在金属-绝缘体相变附近，费米能级处足够高的态密度会导致 Stoner 铁磁性的出现，而该铁磁性可由 调制甚至熄灭。对于双层纳米带，我们进一步表明，施加横向电场可使带隙由间接变为直接，这一效应可能对光电子学应用具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1308.6229,
title = {Electric Field Effects on Armchair MoS2 Nanoribbons},
author = {Kapildeb Dolui and Chaitanya Das Pemmaraju and Stefano Sanvito},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.6229},
year = {2013}
}
备注
12 pages, 15 figures