Ga2S2纳米带的电子结构与边缘效应
介观与纳米尺度物理
2016-10-12 v1
摘要
采用第一性原理密度泛函理论计算预测具有锯齿形或扶手椅形终止边缘的硫化镓纳米带(Ga2S2-NRs)的电子性质和相对稳定性。发现纳米带的电子性质对边缘结构非常敏感。锯齿形纳米带(Ga2S2-ZNRs)无论是否H钝化均呈金属性且具自旋极化边缘态，而裸扶手椅形纳米带(Ga2S2-ANRs)为具有间接带隙的半导体。该带隙随宽度增加呈现振荡行为并最终收敛至恒定值。在H饱和的Ga2S2-ANRs中也发现类似行为，尽管带隙收敛至更大值。通过计算结合能研究了裸ANRs和ZNRs的相对稳定性。发现对于相似宽度，ANRs比ZNRs更稳定，且两者均比某些具有稳定构型的Ga2S2纳米团簇更稳定。
引用
@article{arxiv.1601.01437,
title = {Electronic structures and edge effects of Ga2S2 nanoribbons},
author = {Bao-Ji Wang and Xiao-Hua Li and Li-Wei Zhang and Guo-Dong Wang and San-Huang Ke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.01437},
year = {2016}
}
备注
6 pages and 6 figures