中文

基于扭转石墨烯纳米带的纳米电子器件

介观与纳米尺度物理 2018-12-14 v1

摘要

我们认为,施加横向电场的扭转石墨烯纳米带可用作多种纳米电子器件,例如电流-电压特性由横向电场调控的可调谐隧道二极管。采用密度泛函紧束缚方法考察扭转引起的机械应变效应,我们表明在相关情形下电子输运性质几乎不受应变影响,并提出了一种可给出可靠结果的简化紧束缚模型。横向电场沿纳米带产生周期性静电势,导致类超晶格能带结构的形成,并引发多种显著的电子性质。我们证明,若适当选择纳米带几何结构与工作点,该系统可作为场效应晶体管,或具有非线性电流-电压特性、呈现一个或多个负微分电阻区的器件。后者为纳米级放大器有源元件、发生器以及具有多逻辑态的新型器件等应用提供了可能。

关键词

引用

@article{arxiv.1812.05518,
  title  = {Nanoelectronic devices based on twisted graphene nanoribbons},
  author = {Marta Saiz-Bretín and Andrey V. Malyshev and Francisco Domínguez-Adame},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1812.05518},
  year   = {2018}
}

备注

8 two column pages, 9 figures