合成的多层MoS2纳米管和纳米带场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2015-06-23 v1
摘要
我们报道了合成的多层MoS2纳米管(NT)和纳米带(NR)场效应晶体管(FET)的制备与表征。MoS2 NT和NR通过化学输运法生长，使用碘作为输运剂。拉曼光谱确认了材料明确为MoS2的NT、NR和薄片形式。透射电子显微镜用于观察电学测量后器件的横截面，这些观察用于解释电学测量结果，从而估算电流密度。NT和NR FET表现出n型行为，开关电流比超过10^3，在VDS = 0.3 V和VBG = 1 V时，电流密度分别为1.02 μA/μm和0.79 μA/μm。对MoS2 NT FET进行的光电流测量显示，在激发光功率78 μW、波长488 nm下，短路光电流为数十纳安，对应响应度为460 μA/W。使用长沟道晶体管模型对MoS2 NT和NR FET的共源特性进行建模，并与测量数据一致。
引用
@article{arxiv.1411.6000,
title = {Synthesized multiwall MoS2 nanotube and nanoribbon field-effect transistors},
author = {Sara Fathipour and Maja Remskar and Ana Varlec and Arvind Ajoy and Rusen Yan and Suresh Vishwanath and Wan Sik Hwang and Huili and Xing and Debdeep Jena and Alan Seabaugh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.6000},
year = {2015}
}