单壁MoS$_2$纳米管的间接-直接带隙转变
材料科学
2021-05-12 v1
摘要
利用密度泛函理论，研究了单壁二硫化钼纳米管(MoS NTs)的电子结构随直径的变化关系。我们的计算表明，带隙附近的电子结构对纳米管直径敏感：扶手椅型MoS NTs在直径不大于约5.0 nm时表现为间接带隙半导体，而直径更大的扶手椅型MoS NTs表现为直接带隙半导体，其带边位于附近。这一发现意味着大直径MoS NTs应具有与二维单层MoS薄片相似的 photoluminescence(光致发光)特性。这种间接到直接带隙的转变归因于小直径纳米管中点价带峰的上移，该上移由其管状结构引起的拉伸应变所导致。
引用
@article{arxiv.2011.09103,
title = {Indirect-to-direct band gap crossover of single walled MoS$_2$ nanotubes},
author = {Kaoru Hisama and Mina Maruyama and Shohei Chiashi and Shigeo Maruyama and Susumu Okada},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.09103},
year = {2021}
}
备注
4 pages, 4 figures, under review