栅极控制的非易失性石墨烯-铁电存储器
介观与纳米尺度物理
2009-04-23 v2
摘要
在这封信中，我们展示了一种使用铁电栅控的石墨烯场效应晶体管结构中的非易失性存储器件。二进制信息，即“1”和“0”，由石墨烯工作通道的高电阻态和低电阻态表示，并通过栅极电压扫描控制铁电薄膜的极化来切换。在我们的石墨烯-铁电混合器件中实现了超过 200% 的非易失性电阻变化。实验观察结果通过铁电/石墨烯界面处电偶极子对石墨烯的静电掺杂来解释。
引用
@article{arxiv.0904.1326,
title = {Gate-controlled non-volatile graphene-ferroelectric memory},
author = {Yi Zheng and Guang-Xin Ni and Chee-Tat Toh and Ming-Gang Zeng and Shu-Ting Chen and Kui Yao and Barbaros Ozyilmaz},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.1326},
year = {2009}
}
备注
4 papes, 4 figures