(Ga,Mn)As 中铁磁性的非易失性铁电控制
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
目前，人们对能够提供耦合铁电和铁磁响应的材料和结构非常感兴趣，其长期目标是开发新型存储器和自旋电子逻辑元件。在该领域内，研究重点是通过铁磁 - 铁电界面传递的磁致伸缩和压电应变耦合的复合材料，但基底钳制限制了器件首选的支撑多层结构中的响应。这种限制在铁电 - 铁磁双层结构中得以避免，其中磁响应由极化铁电体的电场进行调制。在此，我们报告了利用稀释磁性半导体 (DMS) 沟道和聚合物铁电栅极实现此类器件的成果。通过单个电压脉冲反转栅极的极化，导致居里温度产生高达 5% 的持久调制。该器件展示了多铁性双层中直接且定量可理解的电场介导耦合，并可能通过铁电畴纳米图案化为纳米结构 DMS 材料和器件提供新途径。成功实现具有 DMS 沟道的聚合物铁电栅极场效应晶体管 (FeFET)，为半导体自旋电子学增添了新功能，并可能对未来的低电压自旋电子器件和存储结构具有重要意义。
引用
@article{arxiv.0802.2074,
title = {Nonvolatile ferroelectric control of ferromagnetism in (Ga,Mn)As},
author = {I. Stolichnov and S. W. E. Riester and H. J. Trodahl and N. Setter and A. W. Rushforth and K. W. Edmonds and R. P. Campion and C. T. Foxon and B. L. Gallagher and T. Jungwirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.2074},
year = {2009}
}
备注
19 pages, 5 figures