基于半导体的铁磁/非磁双层中巨栅压调控邻近磁电阻
应用物理
2020-01-08 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
信息技术的演进由新型大磁电阻(MR)的发现所驱动,例如磁性多层膜中的巨磁电阻(GMR)和隧穿磁电阻(TMR)。近来,在由铁磁(FM)/非磁(NM)薄膜构成的简单得多的双层中观测到新型 MR;然而,这些材料中的 MR 幅度非常小(0.01 ~ 1%)。在此,我们展示由 NM InAs 量子阱导电沟道和绝缘 FM (Ga,Fe)Sb 层构成的 NM/FM 双层表现出巨邻近磁电阻(PMR)(在 14 T 下约 80%)。该 PMR 比迄今报道的 NM/FM 双层中的 MR 大两个数量级,且其幅度可由栅压调控。这些结果由 InAs 二维电子波函数向 (Ga,Fe)Sb 中的渗透所解释。通过电学和磁学栅极均可强烈调制 NM 沟道电流的能力代表了一种磁栅控自旋晶体管的新概念。
引用
@article{arxiv.1812.10655,
title = {Giant gate-controlled proximity magnetoresistance in semiconductor-based ferromagnetic/nonmagnetic bilayers},
author = {Kosuke Takiguchi and Le Duc Anh and Takahiro Chiba and Tomohiro Koyama and Daichi Chiba and Masaaki Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.10655},
year = {2020}
}