磁邻近效应一维通道中巨栅控奇宇称磁电阻
介观与纳米尺度物理
2022-03-23 v4 材料科学
摘要
根据昂萨格原理，一般导体的电阻表现为外磁场的偶函数。仅在涉及铁磁性破缺时间反演对称性（TRS）的特殊情形下，才会观测到相对于的奇分量。这一不寻常现象称为奇宇称磁电阻（OMR），迄今一直微弱（< 2%）且难以通过外部手段调控。在此，我们报道在InAs量子阱的边缘输运通道中观测到高达27%的巨OMR，该通道受下方铁磁半导体(Ga,Fe)Sb层的邻近效应磁化。结合实验结果与基于线性化玻尔兹曼方程的理论分析，我们发现：一维（1D）InAs边缘通道中磁邻近效应（MPE）对TRS的破缺与空间反演对称性（SIS）的破缺同时发生，是这一巨OMR的起源。我们还展示了利用对边缘通道中TRS或SIS的电学栅控来开启和关闭OMR的能力。这些发现为具有强磁耦合的1D半导体系统提供了深刻见解。
引用
@article{arxiv.2003.11731,
title = {Giant gate-controlled odd-parity magnetoresistance in one-dimensional channels with a magnetic proximity effect},
author = {Kosuke Takiguchi and Le Duc Anh and Takahiro Chiba and Ryota Fukuzawa and Takuji Takahashi and Masaaki Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.11731},
year = {2022}
}