具有铁磁侧栅的 InAs 纳米线量子点中的磁阻调控与单态/三重态切换
介观与纳米尺度物理
2016-11-14 v1
摘要
我们展示了在具有分裂栅几何结构中两个铁磁侧栅 (FSGs) 的 InAs 纳米线量子点器件上的磁阻 (MR) 实验。利用 FSGs 和一个背栅，该线段可以被电学调谐到单量子点或双量子点区域。在这两种区域中，我们都发现了强 MR 以及在 FSGs 磁化强度被外场反转的磁场处高达 25% 的急剧 MR 切换。MR 和 MR 切换的符号和幅度都可以通过 FSGs 进行电学调谐。在接近夹断的双量子点区域中，我们在电导中发现了两个急剧的转变，这让人联想到两个铁磁接触之间的隧穿磁阻 (TMR)，其中一个转变靠近零场，另一个在 FSG 切换场处。我们用几个简单的共振隧穿模型解释了这些令人惊讶的丰富特性。例如，类 TMR 的 MR 可以理解为杂散场控制的单态和三重态双量子点态之间的转变。这种局域磁场是各种设计新颖物态提案中的关键要素，并可能用于检验基于电子自旋的贝尔不等式。
引用
@article{arxiv.1608.07143,
title = {Magnetoresistence engineering and singlet/triplet switching in InAs nanowire quantum dots with ferromagnetic sidegates},
author = {G. Fábián and P. Makk and M. H. Madsen and J. Nygård and C. Schönenberger and A. Baumgartner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.07143},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 6 figures