强无序半导体中线型磁电阻的普适性质
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1 无序系统与神经网络
材料科学
摘要
线型磁电阻出现在半导体中，是强电学无序的结果，其特点是与外加磁场成正比的非饱和磁电阻。通过研究无序的 MnAs-GaAs 复合材料，发现线型磁电阻（LMR）的数值在很宽范围内等于载流子迁移率，并且与载流子密度无关。这种行为与霍尔效应互补，后者与迁移率无关而依赖于载流子密度。此外，LMR 似乎对无序的细节不敏感，并指向经典 LMR 的一种普适解释，该解释可应用于其他材料体系。
引用
@article{arxiv.1007.1613,
title = {Universal Properties of Linear Magnetoresistance in Strongly Disordered Semiconductors},
author = {H. G. Johnson and S. P. Bennett and R. Barua and L. H Lewis and D. Heiman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.1613},
year = {2015}
}
备注
Accepted by Phys. Rev. B (2010)