SrTiO3上LaTiO3薄膜中磁纹理驱动的线性巨磁阻
介观与纳米尺度物理
2024-01-19 v1
摘要
线性磁阻（LMR）在存储、电子和传感应用中尤为引人关注，尤其是当其在宽磁场范围内不饱和时。其主要起源之一是局域迁移率或密度不均匀性，通常为结构性的，在Parish-Littlewood理论中导致与迁移率成正比的不饱和LMR。然而，结构无序也往往会限制迁移率，从而限制整体LMR幅度。实现大LMR的另一种途径是通过不影响零场迁移率的非结构不均匀性，例如磁畴。本文报道了在\ch{LaTiO3}/\ch{SrTiO3}异质结构中由磁纹理引起的线性正磁阻。该LMR幅度在9T下可达6500%。这一巨值源于极高薄膜迁移率（高达40 000 cm/V.s）与极大低迁移率区域覆盖率的罕见组合。这些区域与条纹状磁结构相关，与\ch{LaTiO3}薄膜中的螺旋磁纹理相符，由低温洛伦兹透射电子显微镜揭示。这些结果为大LMR器件的设计提供了一条新途径。
引用
@article{arxiv.2210.07682,
title = {Linear colossal magnetoresistance driven by magnetic textures in LaTiO3 thin films on SrTiO3},
author = {Teresa Tschirner and Berengar Leikert and Felix Kern and Daniel Wolf and Axel Lubk and Martin Kamp and Kirill Miller and Fabian Hartmann and Sven Höfling and Bernd Büchner and Joseph Dufouleur and Marc Gabay and Michael Sing and Ralph Claessen and Louis Veyrat},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.07682},
year = {2024}
}