多谷系统的巨纵向磁电阻

纵向磁电阻（MR）被认为难以实现，因为当磁场平行于电流时洛伦兹力不对电子做功。然而在某些情况下，纵向 MR 变得很大，甚至超过横向 MR。为解决此问题，我们基于经典 MR 理论研究了考虑多谷贡献的纵向 MR。我们表明，巨大的纵向 MR 是由迁移率张量的非对角分量引起的。我们的理论结果与 IV-VI 族半导体（尤其是 PbTe）中巨纵向 MR 的实验在宽温度范围内一致，低温下的线性 MR 除外。