准二维金属中的纵向层间磁阻

在强各向异性层状金属中，当层间能带宽度 $4t_{z}$ 小于朗道能级间距 $\hbar \omega_{c}$ 时，计算了纵向层间磁阻 $R_{zz}(B_{z})$。在此机制下，杂质散射的影响比在三维金属中强得多，并导致在 $\hbar \omega_{c}>4t_{z}>>\sqrt{\Gamma_{0}\hbar \omega_{c}}$ 区间内出现线性纵向层间磁阻 $R_{zz}\propto B_{z}$，而在更高磁场或更小 $t_{z}$ 时转变为平方根依赖关系 $R_{zz}\propto B_{z}^{1/2}$。交叉磁场允许估算层间转移积分为 $t_{z}\sim \sqrt{\Gamma_{0}\hbar \omega_{c}}$。纵向层间磁阻对温度升高或长程无序具有鲁棒性，易于测量，为研究准二维化合物的电子结构提供了有用的工具。