NbSe₂中由于受阻圆周运动导致的H线性磁阻
强关联电子
2026-05-13 v1
摘要
线性磁阻(LMR)是一种在从半导体纳米结构到量子临界物质和奇异金属中广泛观察到的现象。尽管已提出了多种解释LMR的情景，但该现象的完整理解仍然尚未明了。事实上，LMR的起源很可能取决于具体的电子态。本文报告了对无序对2H-NbSe₂——这一典型的电荷密度波(CDW)化合物磁阻形式影响的研究。我们表明，该磁阻表现出与采用受阻圆周运动(ICM)的玻尔兹曼输运分析结果在定性和定量上均表现出强烈的一致性。我们鉴定出2H-NbSe₂中ICM的来源为强散射汇点，其中CDW有序将高温费米柱相连。这种独特的“热点”为观察到的LMR以及长期未解的2H-NbSe₂中在电荷有序态下缺乏量子振荡提供了解释。这些发现提供了强有力的证据，表明ICM在某些相关金属中可产生LMR。
引用
@article{arxiv.2605.12048,
title = {$H$-linear magnetoresistance in NbSe$_2$ due to impeded cyclotron motion},
author = {A. Kool and D. Pizzirani and P. Tinnemans and S. Wiedmann and F. Flicker and J. van Wezel and N. E. Hussey and R. D. H. Hinlopen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.12048},
year = {2026}
}
备注
3 figures on 15 pages, plus 14 supplementary figures and 2 tables on 25 pages