kagome 超导体 CsV3Sb5 薄层中的线性不饱和磁电阻
超导电性
2022-11-01 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
线性不饱和磁电阻(LMR)代表一类对外磁场的异常电阻响应,已在多种材料中观测到,包括但不限于拓扑半金属、高 Tc 超导体以及具有电荷/自旋密度波(CDW/SDW)序的材料。在此我们报道在层状 kagome 超导体兼 CDW 材料 CsV3Sb5 薄层中观测到 LMR,以及该 LMR 的维度交叉与温度(T)交叉。具体而言,在超薄 CsV3Sb5 晶体中,磁电阻(MR)在低温下表现出从 LMR 到 CDW 转变温度以上二次 B 依赖的交叉;在低温下,对于厚度约 ~20 nm 的样品,MR 还表现出从 LMR 到亚线性 MR 的交叉。我们讨论了 LMR 的几种可能起源,并将该效应归因于二维(2D)CDW 涨落。我们的结果可为理解 kagome 超导体中竞争序之间的相互作用提供新视角。
引用
@article{arxiv.2210.16890,
title = {Linear nonsaturating magnetoresistance in kagome superconductor CsV3Sb5 thin flakes},
author = {Xinjian Wei and Congkuan Tian and Hang Cui and Yongkai Li and Shaobo Liu and Ya Feng and Jian Cui and Yuanjun Song and Zhiwei Wang and Jian-Hao Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.16890},
year = {2022}
}