反铁磁体 BaMn$_2$Bi$_2$ 中的大负磁电阻
强关联电子
2021-03-10 v2
摘要
在反铁磁体 BaMnBi 的绝缘区中，当磁场垂直于子晶格磁化方向施加时，观测到非常大的负磁电阻（LNMR）。高垂直磁场最终抑制绝缘行为，并使 BaMnBi 重新进入金属态。该效应看似与任何场诱导的磁相变无关，因为磁化率和比热的测量在高于 的温度下未发现有随磁场变化的任何反常。LNMR 在电流面内与电流面外两种设置下均出现，而霍尔效应表明其起源在于类空穴载流子的传导过程对由无穷小场诱导的子晶格磁化倾斜具有极端敏感性。因此，LNMR 诱导的金属态可能与垂直磁场对反铁磁宇称-时间对称性的破缺和/或 BaMnBi 复杂的多轨道电子结构有关。
引用
@article{arxiv.2010.00807,
title = {Large negative magnetoresistance in BaMn$_2$Bi$_2$ antiferromagnet},
author = {Takuma Ogasawara and Kim-Khuong Huynh and Time Tahara and Takanori Kida and Masayuki Hagiwara and Denis Arčon and Motoi Kimata and Stephane Yu Matsushita and Kazumasa Nagata and Katsumi Tanigaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.00807},
year = {2021}
}