由铁磁域结构中的霍尔涨落产生的负磁阻
材料科学
2009-11-07 v2
摘要
我们提出了一种在具有众多铁磁域的材料中产生负磁阻 (MR) 的模型，即使这些个别域本身没有磁阻，也没有边界电阻。这种负 MR 源于由霍尔电导率的空间变化引起的经典电流变形效应，结合磁场作用下的域结构变化。若载流子松弛时间与自磁化产生的内部磁场之积足够大，负 MR 可超过 1000%。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0101268,
title = {Negative Magnetoresistance Produced by Hall Fluctuations in a Ferromagnetic Domain Structure},
author = {Sergey V. Barabash and D. Stroud},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0101268},
year = {2009}
}
备注
3 pages, submitted to Appl. Phys. Lett