零外加场下弹道纳米接触中畴壁诱导的大磁阻效应
介观与纳米尺度物理
2014-11-05 v1
摘要
我们确定了通过超高真空沉积和原位电迁移制备的可变截面稳定洁净坡莫合金纳米接触中的磁阻效应。为了确定源自磁畴壁的磁阻 (MR) 效应，我们在零外加场下测量了存在和不存在畴壁时的电阻值。在弹道输运机制下，MR 比率高达 50%，并表现出此前未观察到的符号变化。我们的结果可以通过近期针对不同纳米接触原子构型的原子尺度计算复现，突显了详细原子排列对 MR 效应的重要性。
引用
@article{arxiv.1208.4985,
title = {Domain-wall induced large magnetoresistance effects at zero applied field in ballistic nanocontacts},
author = {Arndt von Bieren and Ajit K. Patra and Stephen Krzyk and Jan Rhensius and Robert M. Reeve and Laura J. Heyderman and Regina Hoffmann-Vogel and Mathias Kläui},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.4985},
year = {2014}
}