室温下弯曲铁磁纳米线中的域壁锁定
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
机械弯曲的镍纳米线在室温磁阻中显示出明显特征，当域壁被锁定于弯曲位置时。通过改变施加磁场的方向，可将纳米线准备处于单域态或双域态。域壁的存在与否会导致纳米线的切换场位移。在比较具有域壁与无域壁的纳米线磁阻时，发现电阻随域壁的存在而产生位移。当域壁存在时，电阻比整体电阻(40-60欧姆)下降20-30毫欧姆。我们发展了一种磁化模型，允许计算纳米线的磁静能，从而估算域壁核化能。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308579,
title = {Room temperature domain wall pinning in bent ferromagnetic nanowires},
author = {D. M. Silevitch and M. Tanase and C. L. Chien and D. H. Reich},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308579},
year = {2007}
}
备注
11 pages, 15 figures