由畴壁运动在铁磁材料中诱导的静态负磁化率：超导体态的一个方面

磁性材料中的畴壁运动诱导负磁化率，导致完全抗磁态。局域磁化率由磁化强度（$\vec{M}$）矢量对磁场强度（$\vec{H}$）矢量的导数计算。从向上畴到向下畴的过渡区域（畴壁宽度）内，局域 $\vec{M}$ 与 $\vec{H}$ 矢量呈现相反斜率，这导致负磁化率值。负磁化率值诱导抗磁效应，使相对磁导率值 $<$ 1 $\left(\mu _r < 1\right)$。该抗磁态源于畴壁运动，是与电子运动诱导的抗磁完全不同的机制。此外，抗磁态强度可通过调节畴的梯度能而增强，这可能对应完全抗磁态 $\left(\chi _v \approx -1 \Rightarrow \mu _r \rightarrow 0\right)$。另外，我们相信铁磁材料中可能存在维持此种（畴壁诱导的）抗磁态的可能，这完全与传统理论相悖。