Sr 掺杂 Bi2Se3 薄膜中无序诱导的线性磁电阻
超导电性
2022-02-21 v2 强关联电子
摘要
Sr 掺杂的 Bi2Se3 薄膜被认为是拓扑超导体的潜在候选者。研究发现，具有不同掺杂浓度 x 的 SrxBi2Se3 薄膜的磁电阻（MR）在低磁场下由弱反局域化（WAL）主导，而原本主导 MR 的经典 MR 几乎被完全抑制。相比之下，所有样品的 MR 在高磁场下均观察到由线性磁电阻（LMR）主导。LMR 对载流子迁移率具有线性依赖，可由 Parish-Littlewood 模型成功解释。这表明 LMR 起源于掺杂 Bi2Se3 薄膜中由 Sr 掺杂原子引起的迁移率涨落。
引用
@article{arxiv.2202.08110,
title = {Disorder-induced linear magnetoresistance in Sr-doped Bi2Se3 thin films},
author = {Jiayuan Hu and Wenxiang Jiang and Guohua Wang and Yunlong Li and Jiangtao Wang and Jinlong Jiao and Qi Lu and Chenhang Xu and Wentao Zhang and Jie Ma and Dong Qian},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.08110},
year = {2022}
}
备注
The article needs to be revised