颗粒度调控的拓扑绝缘体 Bi2Te3 薄膜非饱和线性磁阻
介观与纳米尺度物理
2015-12-29 v2
摘要
我们报道了通过化学气相沉积生长的互连 Bi2Te3 纳米片薄膜的磁输运性质。与许多其他拓扑绝缘体 (TI) 材料类似，这些颗粒状 Bi2Te3 薄膜表现出近期备受关注的线性磁阻 (LMR) 效应。通过研究具有不同颗粒度的样品，我们发现 LMR 的幅度与薄膜的平均迁移率 (<\mu>) 之间存在普适关联，该关联跨越了近两个数量级的 <\mu> 变化。此处观察到的颗粒度调控 LMR 效应归因于根据 Parish-Littlewood 理论由迁移率涨落诱导的经典 LMR。这些发现对于 TI 和小带隙半导体材料的基础理解及其磁阻器件应用均具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1501.06497,
title = {Granularity Controlled Non-Saturating Linear Magneto-resistance in Topological Insulator Bi2Te3 Films},
author = {Z. H. Wang and L. Yang and X. J. Li and X. T. Zhao and H. L. Wang and Z. D. Zhang and Xuan P. A. Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.06497},
year = {2015}
}