强无序Ge:Mn磁性半导体中磁化驱动的金属-绝缘体转变
强关联电子
2015-05-13 v1
摘要
我们报道了无序Ge:Mn磁性半导体中伴随磁有序的温度和场驱动金属-绝缘体转变，磁电阻达到数千百分比，以及磁场对异常霍尔效应的抑制。磁电阻等温线被证明服从一个普适标度律，该标度律具有一个依赖于温度和制备条件的单一标度参数。我们认为，强磁无序导致载流子局域化，是Ge:Mn合金异常性质的根源。
引用
@article{arxiv.0903.5423,
title = {Magnetization driven metal - insulator transition in strongly disordered Ge:Mn magnetic semiconductors},
author = {O. Riss and A. Gerber and I. Ya. Korenblit and A. Suslov and M. Passacantando and L. Ottaviano},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.5423},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 5 figures