磁性二维空穴系统中的滞后磁阻与热双稳态
材料科学
2011-07-19 v1
摘要
在n型稀土氧化物和硫族化合物、p型锰化物、n型和p型稀磁半导体(DMS)以及n型DMS量子阱中，均观察到了巨负磁阻及相关的场诱导绝缘体-金属转变，这些是磁性半导体最具代表性的特征。本文报道了对 Mn 调制掺杂 InAs 量子阱的磁输运研究，揭示了磁场驱动且依赖于偏置电压的绝缘体-金属转变，其伴随电阻在数个数量级上的突变与滞后。这些现象在高磁场下与量子化霍尔效应共存。我们证明，空穴与其母体 Mn 受主之间的交换耦合产生了一个磁各向异性势垒，在压应变量子阱中将束缚空穴的自旋弛豫时间移至 100 s 量级。单个 Mn 受主的这种双稳态解释了滞后行为，同时为信息存储与处理开辟了前景。在高偏置电压下，由电子过热引起的另一种双稳态导致了电阻的突变。
引用
@article{arxiv.1106.5832,
title = {Hysteretic magnetoresistance and thermal bistability in a magnetic two-dimensional hole system},
author = {Ursula Wurstbauer and Cezary Śliwa and Dieter Weiss and Tomasz Dietl and Werner Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.5832},
year = {2011}
}