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磁性绝缘体中的磁子平面霍尔效应与各向异性磁阻

介观与纳米尺度物理 2018-10-30 v1

摘要

在磁性有序导体或半导体中,平行或垂直于磁化方向传输的电荷电流的电阻率可能不同,从而产生众所周知的平面霍尔效应和各向异性磁阻。在此,我们研究了磁性绝缘体 Y3_{3}Fe5_{5}O12_{12} 中磁子的类似各向异性磁输运行为。在室温下,采用电学和热磁子注入以及电学检测方法,结合横向和纵向几何结构,分别测量了磁子平面霍尔效应和各向异性磁阻。我们观察到,平行和垂直于磁化方向的磁子电导率之间的相对差异(相对于平均磁子电导率),即 (σmσm)/σ0m|(\sigma_{\parallel}^{\textrm{m}}-\sigma_{\perp}^{\textrm{m}})/\sigma_{0}^{\textrm{m}}|,大约为 5%,且大多数被测器件表现出 σm>σm\sigma_{\perp}^{\textrm{m}}>\sigma_{\parallel}^{\textrm{m}}

关键词

引用

@article{arxiv.1612.08233,
  title  = {Magnon Planar Hall Effect and Anisotropic Magnetoresistance in a Magnetic Insulator},
  author = {J. Liu and L. J. Cornelissen and J. Shan and T. Kuschel and B. J. van Wees},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1612.08233},
  year   = {2018}
}

备注

18 pages, 16 figures