拓扑绝缘体——铁磁半导体异质结构中的巨单向磁电阻
材料科学
2020-02-26 v1
摘要
单向磁电阻(UMR)是铁磁体/非磁体双层中最复杂的自旋相关输运现象之一,它涉及由自旋霍尔效应(SHE)或Rashba-Edelstein效应(REE)引起的自旋注入和积累、自旋相关散射以及界面处或铁磁体体内的磁子散射。虽然金属双层中的UMR在最近几年已被广泛研究,但其量级小至10,对于实际应用而言太小。在此,我们展示了BiSb拓扑绝缘体——GaMnAs铁磁半导体异质结构中的巨UMR效应。我们获得了1.1%的大UMR比,并发现这一巨UMR不是由类巨磁电阻(GMR)的自旋相关散射主导,而是由GaMnAs层中的磁子发射/吸收和强自旋无序散射主导。我们的结果为UMR的复杂物理提供了新见解,以及一种为其器件应用增强其量级的策略。
引用
@article{arxiv.1911.00247,
title = {Giant unidirectional magnetoresistance in topological insulator -- ferromagnetic semiconductor heterostructures},
author = {Nguyen Huynh Duy Khang and Pham Nam Hai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.00247},
year = {2020}
}