CoFeB/InSb/CdTe 异质结构中依赖于磁矩与场驱动单向磁电阻的相互作用
应用物理
2023-11-21 v1
摘要
磁电阻效应对于理解电荷/自旋输运以及推动自旋电子学应用的发展至关重要。本文报道了 CoFeB/InSb/CdTe 异质结构中磁矩依赖（MD）与磁场驱动（FD）单向磁电阻（UMR）效应的共存。InSb 的强自旋轨道耦合以及 CoFeB/InSb 界面处的阻抗匹配保证了室温下显著的 MD-UMR 效应，而 InSb/CdTe 界面处面内磁场与 Rashba 效应的相互作用诱导了主导高场区的显著 FD-UMR 信号。此外，由于不同的自旋输运机制，这两类非互易电荷输运相对于磁场方向呈现相反极性，这进一步实现了角依赖磁电阻的有效相位调制。同时，可调 UMR 响应与双端自旋轨道转矩驱动磁化翻转的演示验证了我们的 CoFeB/InSb/CdTe 体系可作为多功能自旋电子器件设计的合适集成单元。
引用
@article{arxiv.2311.11843,
title = {Interplay between moment-dependent and field-driven unidirectional magnetoresistance in CoFeB/InSb/CdTe heterostructures},
author = {Jiuming Liu and Liyang Liao and Bin Rong and Yuyang Wu and Yu Zhang and Hanzhi Ruan and Zhenghang Zhi and Puyang Huang and Shan Yao and Xinyu Cai and Chenjia Tang and Qi Yao and Lu Sun and Yumeng Yang and Guoqiang Yu and Renchao Che and Xufeng Kou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.11843},
year = {2023}
}