门控石墨烯和石墨烯纳米带的电子结构
介观与纳米尺度物理
2007-08-29 v1
摘要
我们研究了门控石墨烯片的电子结构。我们考虑了无限石墨烯和有限宽度纳米带两种情况。在哈特里近似下自洽地计算了电注入载流子之间的库仑相互作用以及与外部栅极的耦合效应。我们计算了额外载流子的平均密度、占据子带数以及作为栅极电位函数的密度分布。我们讨论了经典电容的量子修正，并计算了半导体性扶手椅型纳米带开始导电的阈值。我们发现，完美透射的宽纳米带的理想电导与栅极电压的平方根成正比。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702473,
title = {Electronic Structure of gated graphene and graphene ribbons},
author = {J. Fernandez-Rossier and J. J. Palacios and L. Brey},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702473},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 6 figures