多量子阱 P-I-N 光电二极管中的超快载流子动力学

量子阱（QW）结构广泛应用于激光器、半导体光放大器、调制器中，使其能够在同一衬底上实现单片集成。随着光电系统为满足太赫兹频段日益增长的带宽需求而发展，深入理解量子阱结构中的超快载流子动力学变得至关重要。我们提出了一个综合模型，用于分析量子阱 P-I-N 结构中带间光激发载流子的超快动力学，并计算其频率响应。该模型表征了整个光生载流子输运过程，包括载流子从量子阱逃逸以及穿越异质结界面的运动。此外，我们概述了计算载流子从量子阱和异质结界面逃逸时间的理论方法。以 GaAs/AlGaAs 量子阱 P-I-N 结构为例，我们讨论了载流子从量子阱和异质结界面的逃逸时间，以及载流子穿越本征区的传输时间，对量子阱 P-I-N 结构频率响应的影响。