利用八带k·p模型研究InGaN/GaN量子点结构与电子性质的关联
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们提出了一个用于计算纤锌矿半导体量子点（QDs）电子结构的八带k·p模型，并将其应用于由InGaN层中成分涨落形成的铟镓氮（InGaN）量子点。该八带k·p模型考虑了应变效应、压电和热释电效应、自旋轨道耦合以及晶体场劈裂。激子束缚能采用自洽哈特里方法计算。利用该模型，我们研究了InGaN量子点的电子性质及其对结构性质（即化学成分、高度和横向直径）的依赖性。我们发现内建压电场和热释电场起主导作用，导致束缚电子态和空穴态的空间分离以及激子跃迁能量的红移。单粒子能量和激子能量都强烈依赖于量子点的成分和几何形状。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610462,
title = {Interrelation of structural and electronic properties of InGaN/GaN quantum dots using an eight-band k.p model},
author = {Momme Winkelnkemper and Andrei Schliwa and Dieter Bimberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610462},
year = {2007}
}