利用对称性适配 $\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$ 哈密顿量计算位置可控 (111) 取向闪锌矿 InGaAs/GaAs 量子点的电子性质

在本工作中，我们提出并评估了一个用于闪锌矿晶格的 (111) 旋转八带 $\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$ 哈密顿量，以研究沿 [111] 方向生长的位置可控 InGaAs/GaAs 量子点的电子性质。我们推导了包含应变和压电势的旋转哈密顿量。结合我们先前 formulated 的 (111) 取向连续介质弹性模型，我们采用此方法研究了现实的位置可控 (111) 生长 InGaAs 量子点的电子性质。我们将这些研究与单带有效质量和八带 $\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$ 模型的评估相结合，以调查这些模型描述 (111) 生长闪锌矿量子点电子性质的能力。此外，还研究了二阶压电贡献对此类系统中极化势的影响。现在，与使用传统 (001) 取向模型进行的计算相比，可以以显著降低的计算成本实现生长在 (111) 取向表面上的纳米结构的电子结构描述。