MOCVD生长的发射于电信波长的InGaAs/GaAs量子点中的激子复合体
介观与纳米尺度物理
2019-10-02 v3
摘要
在此,我们针对金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长、发射波长为1300 nm电信窗口的应变工程InGaAs/GaAs量子点(QDs)中的激子复合体的电子结构与光学性质,给出一项全面的实验与理论研究。通过激发功率依赖与偏振分辨的微光致发光,对若干纳米结构的单量子点性质进行了实验测定,并与采用8带kp理论结合组态相互作用方法计算的受限态结果作了进一步比较。激子复合体的起源基于磁光与关联光谱研究得到了例证性确认。理解结构参数与组分(量子点自身及其邻近应变降低层中的)的影响,可区分其中哪些对控制发射波长以实现电信波段或影响基础激子复合体的结合能至关重要。所得结果就单个光学跃迁的良好光谱隔离及空间限制方面,深化了对所研究结构在控制与局限上的认识,而这些对于量子点在电信波长高纯度单光子源中的应用至关重要。
引用
@article{arxiv.1811.01346,
title = {Excitonic complexes in MOCVD-grown InGaAs/GaAs quantum dots emitting at telecom wavelengths},
author = {Paweł Mrowiński and Anna Musiał and Krzysztof Gawarecki and Łukasz Dusanowski and Tobias Heuser and Nicole Srocka and David Quandt and André Strittmatter and Sven Rodt and Stephan Reitzenstein and Grzegorz Sęk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.01346},
year = {2019}
}