具有电信波段间接-直接带隙交叉的高度均匀 GaSb 量子点
介观与纳米尺度物理
2021-05-18 v2 光学
摘要
我们展示了一种基于嵌入单晶 AlGaSb 基体中的 GaSb 量子点（QDs）的新型量子受限半导体材料，通过填充液滴刻蚀纳米孔制备而成。该液滴介导的生长机制可形成非经典单量子点光源所需的低量子点密度。光致发光（PL）实验表明，GaSb 量子点在电信波长处具有间接-直接带隙交叉。这是由于纳米结构尺寸所控制的量子限域导致导带中 Γ 和 L 谷的对准。我们展示了在接近 1.5 um 波长的直接带隙区域，GaSb 量子点具有 I 型能带排列，并表现出激子发射，具有窄谱线和因高材料质量与尺寸均匀性带来的极低 PL 发射非均匀展宽。这些特性在红外量子光学与量子光子集成应用方面极具前景。
引用
@article{arxiv.2102.11716,
title = {Highly uniform GaSb quantum dots with indirect-direct bandgap crossover at telecom range},
author = {Abhiroop Chellu and Joonas Hilska and Jussi-Pekka Penttinen and Teemu Hakkarainen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.11716},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 4 figures