作为电信 S 波段单光子源的无应变 GaSb 量子点
介观与纳米尺度物理
2023-12-19 v1 光学
摘要
近年来，利用半导体量子点(QDs)在电信波长范围内产生单光子并使其与电子或空穴自旋接口引起了高度关注，相关研究主要集中于基于铟的量子点。然而，关于锑化镓(GaSb)量子点的光学与自旋性质的数据甚少，尽管其是一个物理上丰富的体系，在电信波长范围内存在间接到直接带隙的跨越。本文研究了 GaSb 量子点的(量子)光学性质，这些量子点通过填充铝镓锑(AlGaSb)矩阵中液滴刻蚀的纳米孔制备而成。我们观测到孤立且高度对称的量子点的光致发光(PL)特征，其在电信 S 波段呈现窄线宽，并展现出激子精细结构分裂 。此外，我们对激子的衰减特性进行了时间分辨测量，并测量了电荷复合体的二阶光子自相关函数至 ，揭示了明显的反聚束现象，从而证明了该材料平台产生非经典光的能力。
引用
@article{arxiv.2305.04384,
title = {Strain-free GaSb quantum dots as single-photon sources in the telecom S-band},
author = {Johannes Michl and Giora Peniakov and Andreas Pfenning and Joonas Hilska and Abhiroop Chellu and Andreas Bader and Mircea Guina and Sven Höfling and Teemu Hakkarainen and Tobias Huber-Loyola},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.04384},
year = {2023}
}