MBE 生长 InAs 热发射能量收集器的初始开发
材料科学
2026-05-06 v1
摘要
我们描述了通过分子束蒸发长大的 1x1 mm² InAs 热发射二极管的开发，重点关注其反向漏电流和击穿电压。450°C 下生长的 p-i-n 二极管结构，As₂ 通量约为 3 倍计量比，In 蒸发细胞尖端温度比基温度高 150°C， exhibits 最佳结果，击穿电压超过 0.3 V，反向漏电流密度为辐射极限的 200 倍。
引用
@article{arxiv.2605.03840,
title = {Initial Development of MBE-Grown InAs Diodes for Thermoradiative Energy Harvesting},
author = {I. Artacho and I. Ramiro and A. Martí},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.03840},
year = {2026}
}
备注
7 pages, 3 figures