通过电气泵沿沿面 AlGaN 边发射 UV-B 激光二极管
光学
2026-01-28 v1 应用物理
摘要
中深紫外 (UV) 激光二极管尽管在半导体光电子器件中仍是最少探索的器件之一，尽管其在光谱学、生化传感、消毒以及新兴量子光子学领域具有重要重要性。本文演示了一个电气泵浦的 AlGaN 基激光二极管，工作于 UV-B 波段（280-315 nm）。该器件采用分子束外延 (MBE) 方法生长于单晶 AlN 衬底上，采用棱波导结构制造。激光二极管工作于 298.5 nm，具有较低的阈值电流密度为 3.4 kA/cm²。测得阈值以上具有明显的非线性光电特性和显著的光谱窄化，全宽半最大值为 0.2 nm。
引用
@article{arxiv.2601.19201,
title = {Electrically pumped AlGaN edge-emitting UV-B laser diodes grown by molecular beam epitaxy},
author = {Huabin Yu and Shubham Mondal and Rui Shen and Md Tanvir Hasan and David He and Jiangnan Liu and Samuel Yang and Minming He and Omar Alkhazragi and Danhao Wang and Mackillo Kira and Parag Deotare and Di Liang and Zetian Mi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.19201},
year = {2026}
}