硅基上低阈值电压的原子级锐利 318nm Gd:AlGaN 紫外发光二极管
材料科学
2013-05-24 v3
摘要
通过等离子体辅助分子束外延在 Si 衬底上制备了具有 Gd 掺杂 AlN 有源区的自组装 AlGaN 极化诱导纳米线发光二极管（PINLEDs）。在高于 5V 的正向偏压下，观察到了源自 313 nm 和 318 nm 处 Gd 内 f 壳层电子跃迁的原子级锐利电致发光（EL）。Gd 4f EL 的强度随电流密度线性变化，并在较低温度下增强。PINLEDs 中 Gd 4f EL 的低电场激发与 Gd:AlGaN MIS 纳米线器件（金属/Gd:AlN/极化诱导 n-AlGaN）中的高电场激发形成对比，由此得出结论：在给定器件偏压下，PINLED 器件的 4f EL 强度提升了三倍以上。
引用
@article{arxiv.1303.7453,
title = {Atomically Sharp 318nm Gd:AlGaN Ultraviolet Light Emitting Diodes on Si with Low Threshold Voltage},
author = {Thomas F. Kent and Santino D. Carnevale and Roberto C. Myers},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.7453},
year = {2013}
}
备注
5 pages and 3 figures. Copyright, American Institute of Physics, 2013. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics