n型GaAs单向纳米LED的电致发光
应用物理
2025-01-20 v1 新兴技术
光学
摘要
本文报告了在n-i-n单向(电子输运)III-V GaAs纳米LED中观察到的约866 nm的电致发光(EL)。该器件由直径为166 nm的纳米柱组成，排列成10×10柱阵列。通过在n-i-n二极管的育层结构中集成AlAs/GaAs/AlAs双栏量子阱，实现了通过冲击掺杂和Zener隧穿产生空穴。时分辨EL测量显示寿命大于300 ps，这使我们能够在亚毫安电流注入下估计内部量子效率(IQE)高于2%。这些结果表明，这是一种新型n型纳米尺度发光器件的潜力。
引用
@article{arxiv.2501.10142,
title = {Electroluminescence in n-type GaAs unipolar nanoLEDs},
author = {Bejoys Jacob and João Azevedo and Jana B. Nieder and Bruno Romeira},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.10142},
year = {2025}
}
备注
7 pages, 5 figures, 7 suplementary figures