单个CdSe纳米线的电致发光
材料科学
2008-12-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了在包含单个n型CdSe纳米线的三端器件上进行的电致发光(EL)测量。同步光学和电学测量表明，EL发生在纳米线与正偏置电极或漏极的接触点附近。通过开尔文探针显微镜获得的表面电势分布显示，在EL光斑位置附近存在一个陡峭的电势降，而通过扫描光电流显微镜获得的能带分布则表明界面处存在n型肖特基势垒。这些观察结果表明，发光是通过纳米线-电极界面处快速电势降引起的空穴泄漏或非弹性散射产生的。
引用
@article{arxiv.0809.3475,
title = {Electrically Driven Light Emission from Individual CdSe Nanowires},
author = {Yong-Joo Doh and Kristin N. Maher and Lian Ouyang and Chun L. Yu and Hongkun Park and Jiwoong Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.3475},
year = {2008}
}
备注
12 pages, 4 figures