单根碳纳米管p-n二极管的高效窄带发光
介观与纳米尺度物理
2010-05-03 v1
摘要
碳纳米管的电驱动发光可应用于纳米级激光器和单光子源，因此一直是广泛研究的焦点。然而，迄今为止，高电场和电流要么是电致发光所必需的，要么是不受欢迎的副作用，这导致了高功率需求和低效率。此外，电致发光的线宽足够宽，以至于掩盖了单个光学跃迁的贡献。在此，我们报告了单根碳纳米管p-n二极管的电致发光。实现了对电载流子注入的新水平控制，将功耗降低了多达1000倍，并导致了零阈值电流、可忽略的自加热以及高载流子-光子转换效率。此外，电致发光光谱比以往研究显著更窄（约35 meV），从而允许识别来自自由激子和局域激子的发射。
引用
@article{arxiv.1004.5562,
title = {Efficient narrow-band light emission from a single carbon nanotube p-n diode},
author = {Thomas Mueller and Megumi Kinoshita and Mathias Steiner and Vasili Perebeinos and Ageeth A. Bol and Damon B. Farmer and Phaedon Avouris},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.5562},
year = {2010}
}