金属 - 半导体纳米接触附近的局域电子态

通过将静电极化势纳入原子尺度的单粒子 Schr"odinger 方程，计算了与实验相关尺寸的金属电极接触的纳米线的电子结构。我们表明，电极的存在会在电极附近产生局域化的电子/空穴态，这是一种仅在纳米结构中展现且过去被忽视的现象。该现象对此类纳米系统中的电子输运具有深远影响。我们计算了多种电极/纳米线几何结构，涵盖了不同的接触深度和纳米线半径。我们证明了直径为 3 nm 的 CdSe 纳米线的带隙变化高达 0.5 eV，并计算了克服局域化所需的外加电场强度。