碳纳米管中的准静态自-trapped态

我们在这里研究碳纳米管模型中的电子或空穴的极子（soliton）态。在系统的哈密顿量中, 我们考虑由于on-site和hopping interaction能的变形依赖性而产生的电子-声子相互作用。使用准静态近似, 我们推导了zigzag纳米管中自-trapped电子态的方程。我们发现碳纳米管中电子的基态, 并表明极子态可以在电子-声子耦合强度的不同情况下具有不同的对称性。也就是说, 在相对较弱的耦合下, 极子具有准一维（准-1D）特性并具有轴向对称性。当耦合常数超过某个临界值后, 轴向对称性会破坏, 极子在超过一个维度上扩散。我们还研究了由conducting带中的电子（或由valence带中的空穴）在半导体碳纳米管中形成的极子。我们表明, 这些极子的性质比准-1D基态极子更为复杂。特别是, 半导体碳纳米管中的极子具有内部结构: 它们在纳米管轴向上自-trapped, 并在纳米管周围 exhibit some调制。