光学近场的偏振态

位于复杂介电结构上方几纳米处的光学电磁场的偏振态揭示了近场区域中发生的复杂光-物质相互作用。这些信息只能通过分析近场中检测到的光的偏振态来提取。这些偏振态可以通过适用于近场光学的不同数值方法计算。在本文中，我们应用两种不同的技术（局域格林函数方法和光栅微分理论）来分离由纳米尺寸物体产生的电学和磁学光学近场的各个偏振分量。分析分两个阶段进行：在第一阶段，我们使用简单的偶极模型来深入了解近场偏振态的物理起源。在第二阶段，我们计算精确的数值场图，模拟实验近场光检测，以补充解析模型产生的数据。我们通过展示近场偏振在局域态密度形成中的作用来结束这项研究。