表面钝化 CdSe 纳米棒与金团簇纳米接触处的电子结构
介观与纳米尺度物理
2017-09-13 v1 材料科学
摘要
我们报告了长度变化对源自原子团簇并由虚构氢原子钝化的 CdSe 纳米棒电子结构的影响。这些纳米棒通过在两端附着金团簇形成纳米哑铃结构得以增强。目标是评估在与作为电极的金团簇形成接触后纳米层面的变化，并将结果与实验观测 [PRL, 95, 056805 (2005)] 进行比较。使用平面波基组实施的密度泛函理论，对长度从 4.6 Angstrom 到 116.6 Angstrom 的纳米棒进行了计算。长度为 116.6 Angstrom 的纳米棒的每个原子结合能达到饱和。值得注意的是，附着金团簇后，短于 27 Angstrom 的纳米棒通过金属诱导间隙态（MIGS）发展出金属性。较长的纳米棒则在中心显现出纳米尺度的肖特基势垒。对于这些纳米棒，最靠近金电极的界面区域由于 MIGS 而在间隙中显示出有限的态密度，该密度向纳米棒中心逐渐减小并打开一个有限间隙。Bader 电荷分析表明存在从金属到半导体的局域电荷转移。
引用
@article{arxiv.1312.0005,
title = {Electronic structure at nanocontacts of surface passivated CdSe nanorods with gold clusters},
author = {Deepashri Saraf and Anjali Kshirsagar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.0005},
year = {2017}
}
备注
7 pages, 8 figures