基于激子的半导体碳纳米管薄膜高速电致发光
应用物理
2020-05-20 v1
摘要
集成于硅芯片上的高速光发射器可为实现硅基光电子学（如片上光互连与硅光子学）的新颖架构提供可能。然而，基于化合物半导体的传统光源因难以在硅衬底上直接生长，其与硅基平台的集成面临重大挑战。在此，我们报道基于半导体型单壁碳纳米管（SWNTs）薄膜的高亮度、高速、超小尺寸片上电致发光（EL）发射器。EL发射光谱的峰相对于吸收与光致发光发射光谱的峰红移了0.2 eV，这表明发光来自激子（trion）。实验上从基于激子的EL发射器观测到约100 ps的高速响应，这意味着实现数GHz调制的可能性。通过施加脉冲电压亦获得了脉冲光生成。这些高速且超小尺寸的电致发光发射器可为实现高度集成光电子学与硅光子学的新型片上光电子器件提供可能。
引用
@article{arxiv.1903.01640,
title = {Trion-based High-speed Electroluminescence from Semiconducting Carbon Nanotube Films},
author = {Hidenori Takahashi and Yuji Suzuki and Norito Yoshida and Kenta Nakagawa and Hideyuki Maki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.01640},
year = {2020}
}
备注
30 pages, 5 figures