硅纳米光子芯片产生的高可见度时间-能量纠缠光子
量子物理
2016-11-23 v1 光学
摘要
量子光子学的发展表明，芯片级量子器件正从基础研究领域转向应用技术。集成光子电路与单光子探测器的最新进展表明，量子光子过程保真度的瓶颈最终将在于光子源。我们提出并演示了一种硅纳米光子芯片，其能够发射电信波段光子对，该光子对迄今为止展现了来自微/纳米尺度源的最高原始时间-能量纠缠度。双光子通过高Q硅微盘谐振腔中的腔增强自发四波混频（SFWM）产生，其中三重共振产生过程的本质导致了显著的珀塞尔增强，从而实现高效的成对产生率以及极端的光子噪声背景抑制。优异光子源与新型锁相技术的结合，使得在较大的成对产生率 (4.40 0.07) 10 pairs/s 下，无需任何背景扣除即可观察到 (96.6 1.1) 的近乎完美的符合可见度。
引用
@article{arxiv.1605.06540,
title = {High visibility time-energy entangled photons from a silicon nanophotonic chip},
author = {Steven Rogers and Daniel Mulkey and Xiyuan Lu and Wei C. Jiang and Qiang Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.06540},
year = {2016}
}