兼容互补金属氧化物半导体的近可见光波段单光子源
量子物理
2018-03-29 v1 光学
摘要
我们展示了利用兼容CMOS的PECVD氮化硅光子器件在芯片上产生近可见光波段相关光子对。光子通过自发四波混频产生，并由高品质因数Q=320,000的环形谐振腔增强，从而产生950,000 的生成速率。该光源的高亮度为拓展光子量子技术的宽波长范围提供了机遇，并为开发在室温下工作的全集成量子芯片提供了一条路径。
引用
@article{arxiv.1803.10484,
title = {Complementary metal-oxide semiconductor compatible source of single photons at near-visible wavelengths},
author = {Robert Cernansky and Francesco Martini and Alberto Politi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.10484},
year = {2018}
}
备注
4 pages, 5 figures